Silisyum Karbür (SiC) Wafer
Silisyum karbür (SiC) wafer; güç elektroniği, epitaksi ve araştırma için politip ve elektriksel özelliklere göre seçilir. 4H/6H, N-tipi/yarı yalıtkan, Si-face/C-face, on-axis/off-axis ve kalite sınıfı bilgilerini belirtin. Çap, kalınlık ve yüzey şartları teknik teklifte birlikte doğrulanır.
Wafer çapını ve teknik özelliklerini birlikte belirtin.
Teknik seçimleri tamamladıktan sonra ürünü ekleyin. Bilmediğiniz alanlar boş bırakılabilir; uygunluk, teslim süresi ve ticari koşullar teklifte doğrulanır.
Seçenekler ne anlama geliyor?
Kesin seçimi bilmiyorsanız teklif talebinde özel seçeneğini kullanın. Teknik ekip uygulamaya göre gerekli bilgileri netleştirir.
SSP / DSP
Tek yüzü veya iki yüzü parlatılmış wafer yüzey seçeneği.
Yönelim
Kristal düzleminin (100), (111) veya uygulamaya özel yönü.
Off-axis
Kristal yüzeyinin ana düzleme göre kontrollü açısal sapması.
Teknik şartnameye göre ürün tedariki; uygunluk ve teslim süresi teklifte doğrulanır.
Analiz belgesi, teknik çizim veya test raporu gerekiyorsa talebinize ekleyin. Sağlanabilecek belgeler ürüne ve teslimat kapsamına göre teklifte belirtilir.
Yalnızca ürün adını değil, ihtiyacı tanımlayın.
Silisyum Karbür (SiC) Wafer nasıl seçilir?
Ürünü uygulamanıza göre tanımlayın. Teknik şartname, bulunabilirlik ve teslim süresi teklif aşamasında doğrulanır.
4H / 6H politip ile N-tipi / yarı yalıtkan elektriksel tip ayrı seçimlerdir.
Si-face / C-face tercihi ve off-axis açısı birlikte tanımlanmalıdır.
Araştırma, dummy veya üretim sınıfının kabul kriterlerini belirtin; yalnızca sınıf adı kesin uygunluk anlamına gelmez.
Prosesin gereksinimleri esas alınır.
Çizimi, hedef değeri veya proses koşulunu gönderin.
Teknik ekibimiz teklif öncesinde uygulanabilir tedarik konfigürasyonunu değerlendirecektir.