III–V WAFERS
TEKNİK ŞARTNAMEYLE TEDARİK

İndiyum Arsenür (InAs) Wafer

Kızılötesi dedektörler, yüksek elektron hareketlilikli aygıtlar, kuantum yapıları ve III–V epitaksi araştırmaları için InAs waferlar. Çap, yönelim, iletkenlik ve yüzey bitişi hedef prosese göre değerlendirilir.

1 inch2 inch3 inch4 inch6 inch8 inchCustom diameter
İndiyum Arsenür (InAs) Wafer — temsili ürün görseli
InAsTemsili görsel
TEKLİF İÇİN ÜRÜN SEÇİMİ

Wafer çapını ve teknik özelliklerini birlikte belirtin.

Teknik seçimleri tamamladıktan sonra ürünü ekleyin. Bilmediğiniz alanlar boş bırakılabilir; uygunluk, teslim süresi ve ticari koşullar teklifte doğrulanır.

SEÇİM DESTEĞİ

Seçenekler ne anlama geliyor?

Kesin seçimi bilmiyorsanız teklif talebinde özel seçeneğini kullanın. Teknik ekip uygulamaya göre gerekli bilgileri netleştirir.

SSP / DSP

Tek yüzü veya iki yüzü parlatılmış wafer yüzey seçeneği.

Yönelim

Kristal düzleminin (100), (111) veya uygulamaya özel yönü.

Off-axis

Kristal yüzeyinin ana düzleme göre kontrollü açısal sapması.

Kapsam

Teknik şartnameye göre ürün tedariki; uygunluk ve teslim süresi teklifte doğrulanır.

Belgeler

Analiz belgesi, teknik çizim veya test raporu gerekiyorsa talebinize ekleyin. Sağlanabilecek belgeler ürüne ve teslimat kapsamına göre teklifte belirtilir.

YAYGIN TEKNİK ÖZELLİKLER

Yalnızca ürün adını değil, ihtiyacı tanımlayın.

Çap2"–4" typical
Kristal yönelimi(100), (111) options
Elektriksel özellikN-type or semi-insulating options
Yüzey bitişiEpi-ready SSP or DSP
KalınlıkStandard or custom
DokümantasyonAnaliz belgesi gereksinimi teklifte doğrulanır
UYGULAMALAR

Prosesin gereksinimleri esas alınır.

01Kızılötesi dedektörler
02Yüksek hareketlilikli elektronik
03Kuantum yapıları
04III–V epitaksi
STANDART DIŞI BİR ÖZELLİK Mİ GEREKİYOR?

Çizimi, hedef değeri veya proses koşulunu gönderin.

Teknik ekibimiz teklif öncesinde uygulanabilir tedarik konfigürasyonunu değerlendirecektir.

Teknik seçimleri tamamla ↑