trende

Gallium Arsenide (GaAs) Wafer

18.05.2021
440
Gallium Arsenide (GaAs) Wafer

Gallium Arsenide (GaAs) Wafer, optoelektronik ve mikroelektronik alanında yaygın olarak kullanılan önemli ve olgun bir grup III-Ⅴ bileşik yarı iletkendir. GaAs temel olarak iki kategoriye ayrılır: yarı yalıtımlı GaAs ve N-tipi GaAs. Yarı yalıtımlı GaA’lar temel olarak radar, mikrodalga ve milimetre dalga iletişiminde, ultra yüksek hızlı bilgisayarlarda ve fiber optik iletişimde kullanılan MESFET, HEMT ve HBT yapıları ile entegre devreler yapmak için kullanılır. N-tipi GaA’lar esas olarak LD, LED, yakın kızılötesi lazerler, kuantum iyi yüksek güçlü lazerler ve yüksek verimli güneş pillerinde kullanılır.

Önerilen Ürünler

GaAs wafer for LED N-Type

  • Dimention: 2 inch  |   3 inch  |  4 inch
  • Orientation: <100> to <111>15°±1.0°
  • Dopant: Si-doped N-Type
  • Resisitivity:0.8-9 E3
  • Polish: SSP  |  DSP

GaAs wafer for LD N-Type

  • Dimention: 2 inch, 3 inch, 4 inch
  • Orientation: <100> to <111> or <110>2° ±1.0°
  • Dopant: Si-doped N-Type
  • Resisitivity: 0.8-9 E3 
  • Polish: SSP  |  DSP

GaAs wafer semi-insulating

  • Dimention: 2 inch, 3 inch, 4 inch
  • Orientation: <0001>
  • Dopant: un doped semi-insulating
  • Resisitivity: >1 E7
  • Polish: SSP  |  DSP

Optoelektronik alanında GaAs, ışık yayan diyotlar, görünür ışık lazerler, yakın kızılötesi lazerler ve kuantum kuyusu yüksek güçlü lazerler gibi optoelektronik cihazlar yapmak için kullanılır. Diğer malzemelerden yapılmış lazerlerle karşılaştırıldığında, GaAs lazerlerin birçok avantajı vardır: 6W güç ile 1.0 × 10 ^ -11s darbeler üretebilen küçük torç boyutlu GaAs lazer radarları gibi lazer cihazları çok küçük yapılabilir; GaAs bileşik yarı iletken lazer cihazı uzun bir hizmet ömrüne sahiptir; GaAs lazerin bir diğer önemli avantajı da büyük kapasite, bu lazer iletişimi ile binlerce diyalog iletişim ışınını taşıyabilir.

Mikroelektronik alanında, yüksek hızlı dijital devreler, mikrodalga monolitik devreler, optoelektronik entegre devreler, yarı yalıtkan GaA’lar ile geliştirilen yüksek güçlü alan etkili transistörler, yüksek frekans, düşük güç tüketimi ve radyasyon direnci özelliklerine sahiptir. İletişim alanında, yarı yalıtımlı GaA’lar ile geliştirilen yarı yalıtım, temel olarak yüksek frekanslı iletişim cihazları için kullanılır. Son yıllarda sivil kablosuz iletişim pazarı, özellikle cep telefonu pazarı tarafından yönlendirilen yarı yalıtımlı GaA’lar ile geliştirilen yarı yalıtımın pazar ölçeği de hızla büyümüştür.

Mikrodalga alanında, silikon mikrodalga cihazlarla karşılaştırıldığında, GaAs cihazları yüksek güç, yüksek frekans, yüksek kazanç, düşük gürültü ile karakterize edilir ve daha düşük voltajlarda çalışabilir. GaAs alan etkili transistörlerin ve çığ diyotlarının çalışma verimliliği düzinelerce gigacycle’a ulaştı ve 100 gigacycle aşmak mümkün. Radar ve mikrodalga iletişiminde son derece önemlidir. GaAs mikrodalga cihazı yüksek kapasite artışına ve düşük gürültüye sahiptir, mikrodalga sisteminin hassasiyetini büyük ölçüde artırır. GaAs gantry diyot, 5V ila 7V çalışma voltajı koşullarında çalışabilir, bu nedenle GaA gantry diyot, uzay teknolojisi için son derece önemli olan küçük boyutlu ve hafif bir güç kaynağı kullanabilir.

GaA, güneş pilleri alanında gelecek vaat eden bir pil malzemesidir. Silikon güneş pilleri dünyada en yaygın kullanılanlardır ve dönüşüm verimliliği en yüksek% 18 ila% 20’ye ulaşabilirken, GaA güneş pillerinin maksimum verimliliğinin% 23 ila% 26’ya ulaşması beklenmektedir. GaA güneş pilleri güçlü radyasyon direncine sahiptir, nispeten yüksek sıcaklık ortamlarında çalışabilir.

Please Contact for More İnformation
Ziyaretçi Yorumları

Henüz yorum yapılmamış. İlk yorumu aşağıdaki form aracılığıyla siz yapabilirsiniz.

Whatsapp
Yasin Özkan
Yasin Özkan
Merhaba. Size nasıl yardımcı olabiliriz?